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| 產(chǎn)品詳細 |
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| 產(chǎn)品名稱： |
DHRP-1型 電感耦合射頻等離子體實驗裝置對比【上海雙旭】 |
| 產(chǎn)品型號： |
看標題 |
| 產(chǎn)品報價： |
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產(chǎn)品詳細：
DHRP-1型 電感耦合射頻等離子體實驗裝置對比【上海雙旭】
上海雙旭 DHRP-1 型電感耦合射頻等離子體實驗裝置介紹
產(chǎn)品概述
DHRP-1 型電感耦合射頻等離子體（ICP）實驗裝置是上海雙旭電子有限公司生產(chǎn)的一款用于科研與教學的桌面式等離子體發(fā)生設備。該裝置通過射頻能量在低壓氣體中激發(fā)產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體，適用于材料表面處理、薄膜沉積、等離子體化學、光譜分析等基礎實驗研究。
核心產(chǎn)品參數(shù)
| 參數(shù)類別 |
規(guī)格描述 |
| 射頻電源 |
頻率：13.56 MHz ± 0.05%；輸出功率：0 ~ 1000W 連續(xù)可調(diào)；電源穩(wěn)定性：< ±1% |
| 匹配網(wǎng)絡 |
自動阻抗匹配器，匹配時間通常 < 2秒，匹配范圍：阻抗比 > 1000:1 |
| 反應腔室 |
材質(zhì)：石英或不銹鋼；結構：立式或臥式鐘罩型；尺寸：典型直徑200-300mm |
| 真空系統(tǒng) |
機械泵，極限真空：≤ 6.0×10-1 Pa；進氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計控制，多路氣體通道 |
| 控制系統(tǒng) |
PLC或微處理器控制，觸摸屏操作，具備功率、氣壓、流量等參數(shù)設定與實時監(jiān)控功能 |
| 冷卻系統(tǒng) |
風冷或水冷（針對射頻電源及匹配器） |
| 工作氣體 |
Ar, O2, N2, CF4 等常見實驗氣體 |
| 外形尺寸 |
約 1200mm (L) × 800mm (W) × 1600mm (H) （具體以實物為準） |
與【上海雙旭】同類產(chǎn)品的對比要點
注：以下為基于上海雙旭產(chǎn)品線特征的通用對比分析，具體型號參數(shù)可能有所不同。
| 對比項目 |
DHRP-1 型（基礎實驗型） |
更高階型號（如DHRP系列其他型號） |
| 定位與用途 |
教學與基礎科研，側重于等離子體原理演示、基礎工藝實驗。 |
高級科研與小型生產(chǎn)，可能集成更復雜的工藝控制（如基片加熱、偏壓電源）。 |
| 射頻功率 |
通常為≤1000W，滿足大多數(shù)基礎實驗需求。 |
可能提供更高功率（如2000W, 3000W），以獲得更高密度等離子體。 |
| 系統(tǒng)集成度 |
標準配置，滿足基本真空、進氣、放電需求。 |
可能集成原位診斷接口（如Langmuir探針、光譜儀接口）、更復雜的樣品臺。 |
| 自動化程度 |
基本自動匹配與參數(shù)設置，手動操作環(huán)節(jié)相對較多。 |
更高程度的自動化工藝配方控制，數(shù)據(jù)記錄與分析功能更強。 |
| 腔體配置 |
標準石英腔體，結構相對固定。 |
可能提供多種腔體選配（材質(zhì)、尺寸），模塊化設計更強。 |
使用注意事項
安全警告
- 高壓與射頻輻射：設備工作時產(chǎn)生高壓及強射頻場。必須確保所有屏蔽罩和機箱門關閉，嚴禁在通電狀態(tài)下打開機箱或觸摸內(nèi)部線路，防止電擊和射頻輻射傷害。
- 氣體安全：使用易燃、有毒或腐蝕性氣體（如H2, SiH4, CF4）時，必須確保管路氣密性良好，并配備相應的尾氣處理裝置，工作環(huán)境通風需達標。
- 真空安全：遵循真空系統(tǒng)操作規(guī)程。破空前務必確認腔體已充氣至大氣壓，防止真空狀態(tài)下強行開啟腔室造成損壞或人身傷害。
- 高溫與紫外：等離子體區(qū)域會產(chǎn)生高溫和強紫外光，避免直視等離子體，實驗后腔體及樣品可能高溫，需冷卻后再處理。
操作與維護須知
- 規(guī)范操作：嚴格按照設備說明書規(guī)定的開機、關機順序操作。先通冷卻系統(tǒng)，再啟動真空和射頻系統(tǒng)。
- 匹配器保護：必須在低功率下啟動射頻并完成自動匹配，嚴禁在嚴重失配或空載狀態(tài)下長時間開啟大功率，以免損壞射頻電源和匹配器。
- 腔體清潔：定期清潔反應腔室和觀察窗，避免污染物影響等離子體均勻性和實驗重復性。清潔時使用適當溶劑，避免劃傷石英窗口。
- 泵維護：定期檢查并更換機械泵油，若處理腐蝕性氣體或生成粉末，需在泵入口加裝相應的過濾或冷阱裝置。
- 水源檢查：若采用水冷，需定期檢查水路是否通暢，有無漏水，確保水壓和水質(zhì)符合要求。
- 記錄與校準：定期記錄關鍵運行參數(shù)，對質(zhì)量流量計、真空計等關鍵部件按建議周期進行校準。
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