DH2008系列 微波CVD薄膜制備裝置參數(shù)【上海雙旭】
上海雙旭DH2008系列微波CVD薄膜制備裝置參數(shù)
制造商：上海雙旭
核心產(chǎn)品參數(shù)
- 型號(hào)：DH2008系列
- 微波頻率：2.45 GHz
- 微波功率：0~2000W連續(xù)可調(diào)
- 反應(yīng)室材料：石英或不銹鋼，帶水冷系統(tǒng)
- 極限真空度：≤6.67×10-3 Pa
- 工作氣壓范圍：10~103 Pa
- 基片加熱溫度：室溫~800℃（可定制更高溫度）
- 溫度控制精度：±1℃
- 氣路系統(tǒng)：多路質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制，通常為3-4路
- 適用氣體：CH4, H2, Ar, N2, O2等
- 基片尺寸：通常支持直徑≤4英寸（可定制）
- 控制系統(tǒng)：PLC或計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，觸摸屏人機(jī)界面
使用注意事項(xiàng)
- 安全防護(hù)：設(shè)備運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生高強(qiáng)度微波，嚴(yán)禁打開(kāi)爐門(mén)或破壞微波屏蔽裝置，防止微波泄漏傷害。
- 真空系統(tǒng)：開(kāi)機(jī)前檢查機(jī)械泵油位及油質(zhì)，定期維護(hù)。破空進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，必須使用惰性氣體（如Ar、N2），防止樣品氧化。
- 氣體操作：使用易燃易爆或有毒氣體（如H2、CH4）時(shí)，必須確保氣路密封良好，實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)系統(tǒng)完備，并配備氣體泄漏報(bào)警裝置。
- 冷卻系統(tǒng)：確保微波源（磁控管）及反應(yīng)室水冷循環(huán)始終暢通，水溫、水壓正常，防止設(shè)備過(guò)熱損壞。
- 樣品與清潔：放置基片需使用專用工具，避免污染反應(yīng)室內(nèi)壁。定期清潔反應(yīng)室，去除沉積物，以維持真空度和薄膜質(zhì)量。
- 電源要求：需接入穩(wěn)定三相電源，接地必須可靠。非專業(yè)人員不得拆卸電氣部分。
- 操作培訓(xùn)：操作人員必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格培訓(xùn)，熟悉設(shè)備操作規(guī)程及緊急情況（如停水、停電、漏氣）處理流程后方可上機(jī)。
|
