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(一)技術參數(shù)：

1、電 源：AC220V，50/60Hz；

2、額定功率：7kW；

3、爐膛尺寸：180×200mm；

4、加熱元件：Si-Mo硅鉬棒

5、額定溫度：1600℃，溫控精度：± 1℃，

升溫速率：10℃/min；

6、報警保護：上、下限, 正、負偏差, 斷偶等報警；

(二) 產(chǎn)品特色：

本設備適用于材料學相關專業(yè)的教學和科研實驗，由溫控系統(tǒng)、井式爐、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)五部分構(gòu)成，可在真空或氣氛環(huán)境下用高溫熔融生長法制備各種氧化物、非氧化物晶體材料，以及對多晶體樣品進行燒結(jié)、熱處理等。

1、智能AI控溫，具備50段程序編排功能，節(jié)能高效益；

2、特殊的爐膛保溫材料，爐膛溫度分布均勻，保溫性能優(yōu)異；

3、高溫控制范圍，100～1600℃；

4、保護氣氛的入口也可作為其它必要氣體的入口；

5、真空密封部件由制冷循環(huán)水冷卻，避免長流水費水擾民。